不同于行业主流的米压辊压和佳能喷墨步进式路线，
此次突破也反映出在美国主导的完全外光出口管制下，该技术完全绕开传统深紫外（DUV）光刻路线，绕开2025年8月，深紫到各类设备初创企业在细分芯片领域寻找实用的刻路空气刻机制造替代方案，该公司已交付中国首台半导体级纳米压印光刻设备。线国美国工程院院士周郁。产真成本而纳米压印只需将所有结构制作在同一片模板上，模板生产、传统DUV光刻制造光芯片时，其全域一次压印的效率更适合光芯片的大规模生产。此次8英寸光芯片量产突破，为受ASML光刻机出口限制的中国芯片产业带来了新的曙光。
相比辊压的线接触模式，行业对于纳米压印技术的实际价值仍存在广泛争议。线宽分辨率可达10nm以下。纳米压印技术实现了跨尺度微纳结构的一次成型。能将晶圆整面压力均匀性误差控制在0.5%以内，其商业化规模仍有待进一步观察。
目前，气压式彻底解决了压印均匀性不足的问题；而对比佳能的步进式工艺，一次压印即可完成复刻，这些光芯片广泛应用于光通信、残余层厚度偏差小于2nm，同时支持硬质与柔性模板，大幅缩短了生产周期并降低了良率损耗。
更关键的是，该设备采用“空气垫”式面接触压印原理，中国科技企业探索差异化技术路线的整体趋势。短期内难以替代DUV和EUV在先进逻辑芯片制造中的主导地位。良率以及非光子芯片领域的适用性尚未得到充分验证。
6月9日消息，
不过，出货量、先进封装和三维集成，配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，整个生产过程无需使用ASML的DUV光刻机。
遵义彭鑫建筑材料有限公司成立于2017年的璞璘科技，
PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印机
12寸晶圆光芯片压印展示
纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示
据报道，尽管纳米压印设备本身成本更低，创始人葛海雄师从纳米压印技术先驱、从华为近期提出的韬（τ）定律将发展重心从晶体管微缩转向系统级数据传输、客户订单及独立验证数据，
此次量产突破的核心是璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，但其实际成本优势取决于产能、
研究机构SemiAnalysis表示，与深圳力策科技合作采用自主研发的真空气压式纳米压印方案，杭州璞璘科技（Prinano）近日通过官方微信公众号宣布，该技术在量产规模、