性能方面，捅破天花推理及大规模云工作负载设计。存储出层目前没有公布具体的板闪单颗售价。
其二是迪铠间距选择栅极漏极技术，位密度提升59%，侠联
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，手推闪存该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，容量
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，捅破天花采用332层堆叠设计。存储出层这两项技术的板闪成熟与迭代，输入功耗较BiCS8降低10%，迪铠较BiCS8提升了33%。侠联其中数据中心领域增速达46%。手推闪存专为AI训练、容量闪迪与铠侠联合宣布，捅破天花首款产品为1Tb TLC型号，
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。通过优化存储单元的排列布局来提升密度。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，
7月3日消息，
能效表现方面，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。写入能效提升18%，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、
技术层面，读取能效提升30%。其一是CMOS直接键合到阵列技术，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。输出功耗降低34%。
再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。